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 Defect Engineering in β-Ga2O3/4H-SiC Heterojunctions via Kr Ion Irradiation for Enhanced Solar-Blind Photodetector Performance Kr离子辐照β-Ga2O3/4H-SiC异质结缺陷工程提高日盲光电探测器性能
相关领域
材料科学
辐照
光电探测器
异质结
光电子学
离子
量子力学
物理
核物理学
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Yang Yongtao; Yang Zhang; Xiaotong Ma; Yao Li; Fan Zhang; et al 出版日期：2025-03-19 |
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