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 A high rectification efficiency Dual Fin Si0.7Ge0.3/Si/Si0.7Ge0.3 quantum well channel structure FinFET for 2.45 GHz micropower microwave wireless energy harvesting 用于2.45 GHz微功率微波无线能量收集的高整流效率双鳍Si0.7Ge 0.3/Si/Si0.7Ge 0.3量子阱沟道结构FinFET
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Jiazhi Ren; Jianjun Song; Yuchen Zhang 出版日期：2025-02-20 |
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