| 标题 |
Growth mechanism of α -Ga2O3 on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated gallium source solutions |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Kazuyuki Uno; Marika Ohta; Ichiro Tanaka 出版日期:2020-08-03 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人或该文件上传人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)