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High temperature characteristics of monolithically integrated LED and MOS‐channel HEMT in GaN using selective epi removal |
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期刊:physica status solidi (a) 作者:Z. Li; J. Waldron; S. Chowdhury; L. Zhao; T. Detchprohm; et al 出版日期:2015 |
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(2025-6-4)