| 标题 |
 30.6 A 64Gb DDR4 STT-MRAM Using a Time-Controlled Discharge-Reading Scheme for a .001681\mu\mathrm{m}$ 1T-1MTJ Cross-Point Cell |
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| 其它 |
期刊：2025 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 作者：Kosuke Hatsuda; Katsuhiko Hoya; Ryousuke Takizawa; Fumiyoshi Matsuoka; Takaya Yasuda; et al 出版日期：2025 |
| 求助人 | |
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(2025-6-4)
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