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 4.1/3.5 kV breakdown voltage in depletion/enhancement-mode MOCVD-grown Ga 2 O 3 MOSFETs on sapphire substrates 相关领域
材料科学
光电子学
蓝宝石
击穿电压
退火（玻璃）
高分辨率透射电子显微镜
电介质
金属有机气相外延
结晶度
外延
离子注入
栅极电介质
介电强度
阈值电压
化学气相沉积
沟槽
MOSFET
电压
功率MOSFET
低压
场效应晶体管
功率半导体器件
二极管
薄膜
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：chunxiao Yu; Yibo Wang; Bochang Li; Chenyu Liu; Yiyang Wu; et al 出版日期：2026-03-13 |
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