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High-performance Ka-band AlN-buffer GaN HEMTs with enhanced dynamic and breakdown characteristics achieving 10.05 W/mm P sat and 53.05% PAE |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Fei-Yang Chen; Min-Han Mi; Peng-Fei Wang; Xiang-Xin Cao; Xiang Du; et al 出版日期:2026-07-20 |
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