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 High-BFOM GaN p-channel MOSFETs enabled by ALD Ga2O3 gate dielectric 相关领域
材料科学
光电子学
电介质
栅极电介质
磁滞
宽禁带半导体
原子层沉积
功勋
高-κ电介质
MOSFET
逻辑门
随时间变化的栅氧化层击穿
表征（材料科学）
击穿电压
介电强度
栅氧化层
图层（电子）
硅
氮化镓
功率半导体器件
电压
阈值电压
GSM演进的增强数据速率
场效应晶体管
压力（语言学）
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Shisong Luo; Zonghao Zhang; Chufan Qiu; Tao Li; Cheng Chang; et al 出版日期：2026-07-13 |
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