120 A/1.78 kV p-Cr2O3/n-β-Ga2O3 Heterojunction PN Diodes with Slanted Mesa Edge Termination

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标题	120 A/1.78 kV p-Cr2O3/n-β-Ga2O3 Heterojunction PN Diodes with Slanted Mesa Edge Termination 120A/1.78kV倾斜台面边缘端接的p-Cr2O3/n-β-Ga2O3异质结PN二极管相关领域二极管异质结梅萨材料科学光电子学砷化镓计算机科学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1109/led.2025.3598936
DOI	10.1109/led.2025.3598936 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yitao Feng; Hong Zhou; Junyi Ma; Fang Hao; Xiaorong Zhang; et al 出版日期：2025-01-01
求助人	PAPA 在 2025-09-03 16:55:34 发布自陕西，悬赏 10 积分
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