| 标题 |
 120 A/1.78 kV p-Cr2O3/n-β-Ga2O3 Heterojunction PN Diodes with Slanted Mesa Edge Termination 120A/1.78kV倾斜台面边缘端接的p-Cr2O3/n-β-Ga2O3异质结PN二极管
相关领域
二极管
异质结
梅萨
材料科学
光电子学
砷化镓
计算机科学
程序设计语言
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yitao Feng; Hong Zhou; Junyi Ma; Fang Hao; Xiaorong Zhang; et al 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 | |
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