| 标题 |
The role of Mg bulk hyper-doping and delta-doping in low-resistance GaN homojunction tunnel diodes with negative differential resistance Mg体超掺杂和δ掺杂在具有负差分电阻的低阻GaN同质结隧道二极管中的作用
相关领域
同质结
材料科学
金属有机气相外延
光电子学
兴奋剂
分子束外延
二极管
化学气相沉积
异质结
外延
分析化学(期刊)
纳米技术
图层(电子)
化学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Applied Physics 作者:Ehsan Vadiee; Evan A. Clinton; Joe V. Carpenter; Heather McFavilen; C. Arena; et al 出版日期:2019-08-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|