Atomic layer etching of ZrO2 thin films for DRAM capacitors using NF3 plasma and TiCl4

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标题	Atomic layer etching of ZrO2 thin films for DRAM capacitors using NF3 plasma and TiCl4 相关领域材料科学德拉姆电容器蚀刻（微加工）等离子体原子层沉积图层（电子）光电子学等离子体刻蚀反应离子刻蚀纳米技术电气工程电压物理量子力学工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.04.329
DOI	10.1016/j.ceramint.2025.04.329 doi
其它	期刊：Ceramics International 作者：Heqing Yang; Hyeongjun Kim; S.-B. Jo; Woongkyu Lee 出版日期：2025-04-23
求助人	lly 在 2026-01-07 01:37:50 发布自天津，悬赏 10 积分
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