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 High voltage GaN vertical FinFET with a compatible integrated fin diode for low reverse conduction loss 具有兼容集成鳍二极管的高压GaN垂直FinFET，可实现低反向传导损耗
相关领域
材料科学
热传导
欧姆接触
光电子学
二极管
电压
鳍
阈值电压
兴奋剂
电气工程
纳米技术
晶体管
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图层（电子）
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Zhijia Zhao; Yuxi Wei; Tao Sun; Kemeng Yang; Jie Wei; et al 出版日期：2023-04-12 |
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