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标题
The Impact of Fin Number on Device Performance and Reliability for Multi-Fin Tri-Gate n- and p-Type FinFET
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DOI
10.1109/TDMR.2018.2866800 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
作者:Wen-Kuan Yeh; Wenqi Zhang; Po-Ying Chen; Yi-Lin Yang
出版日期:2018
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会飞的烧鹅 在 2026-02-09 11:38:56 发布自北京,悬赏 10 积分
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