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Ultrathin Al2O3 interfacial layer for Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric field-effect transistors 相关领域
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期刊:Journal of Physics D: Applied Physics 作者:Jehoon Lee; Deokjoon Eom; Heesoo Lee; Woohui Lee; Joohee Oh; et al 出版日期:2023-12-14 |
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