Investigation of trapping dynamics and defect evolution in 150 nm GaN-on-SiC HEMTs under early X-band RF stress

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标题	Investigation of trapping dynamics and defect evolution in 150 nm GaN-on-SiC HEMTs under early X-band RF stress
网址	http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/25080031
DOI	10.1088/1674-4926/25080031 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors 作者：El Mehdi Meknassi; Niemat Moultif; Sebastien Duguay; Benoit Lambert; Gabriel Bertao; et al 出版日期：2026-05-01
求助人	研友_GZ31vL 在 2026-10-15 16:23:34 发布自重庆，悬赏 10 积分
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