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 Thickness-dependent monochalcogenide GeSe-based CBRAM for memory and artificial electronic synapses 用于记忆和人工电子突触的厚度依赖性单硫族化物GeSe基CBRAM
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期刊：Nano Research 作者：Asif Ali; Haider Abbas; Muhammad Hussain; Syed Hassan Abbas Jaffery; Sajjad Hussain; et al 出版日期：2021-09-27 |
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