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Novel SenseFET structure for VDMOS with adopting body reverse bias technique to adjust the reference current ratio
采用体反偏置技术调节参考电流比的VDMOS SenseFET结构
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期刊:Microelectronics Journal 作者:Tian Han; Fukun Zhao; Xiaowu Cai; Shuquan Liang; Yun Tang; et al 出版日期:2023-04-01 |
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