标题 |
Comparison of SiC Epitaxial Growth from Dichlorosilane and Tetrafluorosilane Precursors
二氯硅烷和四氟硅烷前驱体外延生长SiC的比较
相关领域
二氯硅烷
外延
增长率
材料科学
化学气相沉积
蚀刻(微加工)
沉积(地质)
体积流量
化学工程
光电子学
纳米技术
硅
图层(电子)
生物
沉积物
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期刊:ECS transactions 作者:Haizheng Song; Tawhid Rana; M. V. S. Chandrashekhar; Sabih U. Omar; Tangali S. Sudarshan 出版日期:2013-08-31 |
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