| 标题 |
 Degradation mechanisms for a-InGaZnO thin-film transistors functioning under simultaneous DC gate and drain biases 同时直流栅极和漏极偏压下a-InGaZnO薄膜晶体管的退化机制
相关领域
降级（电信）
材料科学
薄膜晶体管
失真（音乐）
光电子学
晶体管
电场
俘获
电极
蚀刻（微加工）
机制（生物学）
压力（语言学）
电子
图层（电子）
纳米技术
计算机科学
电气工程
物理
电压
工程类
哲学
生物
电信
量子力学
放大器
CMOS芯片
语言学
生态学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Chinese Physics B 作者：Tianyuan Song; Dongli Zhang; Mingxiang Wang; Qi Shan 出版日期：2022-04-14 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
tuanheqi
zcl
Smar_zcl
changping
wlscj
风中冰香
小青椒
GingerF
star
Tourist
那时花开
凤凰
lalala
菠菜
eric888
哈基米德
Criminology34
LPPQBB
Yini
寒江雪
明理的以亦
Bio
yznfly
皖公网安备34019202002308
