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 Integration of multiferroic BiFeO3 on Y2O3/Si(100) for metal-ferroelectric-insulator-field-effect-transistors based ferroelectric memories 多铁性BiFeO3在Y2O3/Si（100）上的集成用于金属-铁电-绝缘体-场效应晶体管铁电存储器
相关领域
材料科学
铁电性
电介质
场效应晶体管
晶体管
铁电RAM
光电子学
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期刊：Ferroelectrics 作者：Kamal Prakash Pandey 出版日期：2020-04-03 |
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