| 标题 |
  Monolithic integration of high electron mobility InAs-based heterostructure on exact (001) Silicon using a GaSb/GaP accommodation layer 使用GaSb/GaP调节层在精确（001）硅上单片集成高电子迁移率InAs基异质结构
相关领域
异质结
材料科学
电子迁移率
外延
光电子学
硅
基质（水族馆）
图层（电子）
带隙
纳米技术
海洋学
地质学
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：L. Desplanque; Salim El Kazzi; Christophe Coinon; S. Ziegler; Bernardette Kunert; et al 出版日期：2012-10-01 |
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