Analytical modeling of CV and I-V characteristics in p-GaN gate HEMTs based on the unified 2DEG density expression

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标题	Analytical modeling of CV and I-V characteristics in p-GaN gate HEMTs based on the unified 2DEG density expression
网址	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2025.115789
DOI	10.1016/j.microrel.2025.115789 doi
其它	期刊：Microelectronics Reliability 作者：Lili Zhang; Yanan Yin; Yiwu Qiu; Tao Wang; Pingwei Zhang; Xinjie Zhou 出版日期：2025
求助人	心澄宇静在 2026-05-07 14:19:05 发布自江苏，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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