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Investigation of carrier transport and recombination at type-II band aligned p-NiO/AlGaN interface in p-NiO gate AlGaN/GaN HEMTs under forward bias |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Yanghu Peng; Hui Guo; Ruiling Gong; Huaize Liu; Pengfei Shao; et al 出版日期:2024-04-22 |
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(2025-6-4)