First Experimental Demonstration of Monolithically Stacked FeRAM with Dual-Gate Poly-Si Access Transistors and Horizontal Ferroelectric Capacitors

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标题	First Experimental Demonstration of Monolithically Stacked FeRAM with Dual-Gate Poly-Si Access Transistors and Horizontal Ferroelectric Capacitors
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11353461/11353475/113535...
DOI	10.1109/iedm50572.2025.11353525 doi
其它	期刊：2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Huihui Li; Yali Tan; Zihao Yuan; Zean Guo; Chen Yang; et al 出版日期：2026-01-31
求助人	雨天在 2026-08-31 01:13:30 发布自上海，悬赏 10 积分
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