Cr2O3/β-Ga2O3 heterojunction diodes on thick, mid-1015 cm−3 low-doped drift layer with 3.45 kV breakdown voltage

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标题	Cr2O3/β-Ga2O3 heterojunction diodes on thick, mid-1015 cm−3 low-doped drift layer with 3.45 kV breakdown voltage
网址	https://doi.org/10.1116/6.0005418
DOI	10.1116/6.0005418 doi
其它	期刊：Journal of vacuum science & technology 作者：Chinmoy Nath Saha; Caroline E. Reilly; Yizheng Liu; Jacob H. Leach; Heather Splawn; et al 出版日期：2026-05-22
求助人	心灵美大娘在 2026-08-27 19:14:04 发布自浙江，悬赏 10 积分
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