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 3-D Simulation of Novel High Performance of Nano-Scale Dual Gate Fin-FET Inserting the High-K Dielectric TiO2 at 5 Nm Technology 相关领域
材料科学
光电子学
阈下斜率
小型化
排水诱导屏障降低
栅极电介质
阈值电压
电介质
金属浇口
场效应晶体管
高-κ电介质
晶体管
和大门
栅氧化层
逻辑门
电压
电气工程
纳米技术
工程类
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期刊：Silicon 作者：N. Bourahla; B. Hadri; A. Bourahla 出版日期：2019-12-15 |
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(2025-6-4)
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