Reduction of efficiency droop in c-plane InGaN/GaN light-emitting diodes using a thick single quantum well with doped barriers

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标题	Reduction of efficiency droop in c-plane InGaN/GaN light-emitting diodes using a thick single quantum well with doped barriers
网址	https://doi.org/10.1063/5.0073741
DOI	10.1063/5.0073741 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Yi Chao Chow; Cheyenne Lynsky; Feng Wu; Shuji Nakamura; Steven P. DenBaars; et al 出版日期：2021-11-29
求助人	海绵宝宝电棍在 2026-08-25 14:21:26 发布自山东，悬赏 10 积分
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