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 High quality GaN-on-SiC with low thermal boundary resistance by employing an ultrathin AlGaN buffer layer 采用超薄AlGaN缓冲层具有低热边界电阻的高质量GaN-on-SiC
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yuxia Feng; Huarui Sun; Xuelin Yang; K. Liu; Jie Zhang; et al 出版日期：2021-02-01 |
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