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标题
4H-SiC layer with multiple trenches in lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor transistors for high temperature and high voltage applications
用于高温和高压应用的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管中具有多个沟槽的4H-SiC层
相关领域
LDMOS 材料科学 击穿电压 晶体管 光电子学 电压 氧化物 高压 碳化硅 半导体 硅 MOSFET 图层（电子） 电气工程 纳米技术 复合材料 工程类 冶金
网址
https://doi.org/10.1116/6.0002971
DOI
10.1116/6.0002971 doi
其它 期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena
作者：Amir Sohrabi-Movahed; Ali A. Orouji
出版日期：2023-11-20
求助人
糊涂的白梦 在 2025-12-05 16:05:13 发布自吉林，悬赏 10 积分
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