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 4H-SiC layer with multiple trenches in lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor transistors for high temperature and high voltage applications 用于高温和高压应用的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管中具有多个沟槽的4H-SiC层
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Amir Sohrabi-Movahed; Ali A. Orouji 出版日期：2023-11-20 |
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