Defect-induced self-doping enables efficient charge transfer in Cu2-xS (x = 1, 0, 0.2) for enhanced SERS properties

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标题	Defect-induced self-doping enables efficient charge transfer in Cu2-xS (x = 1, 0, 0.2) for enhanced SERS properties
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2026.168794
DOI	10.1016/j.apsusc.2026.168794 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Xiaolian Liu; Zihao Liu; Shaofeng Lv; Ning Ma; Yinyan Gong; et al 出版日期：2026-10-01
求助人	laallaall 在 2026-10-29 19:41:16 发布自浙江，悬赏 10 积分
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