| 标题 |
 High Hole Doping Redirects Pressure-Induced Phase Transformation of Silicon 相关领域
材料科学
硅
兴奋剂
相（物质）
转化（遗传学）
凝聚态物理
光电子学
半导体
工作（物理）
质量（理念）
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| DOI |
10.1103/v636-pcxy
doi
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| 其它 |
期刊：Physical Review Letters 作者：Tong Zhao; Shulin Zhong; Yuxin Sun; Defan Wu; Zhidan Zeng; et al 出版日期：2026-09-01 |
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(2025-6-4)
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