Ferroelectric HfO2 Memory Transistors With High-κ Interfacial Layer and Write Endurance Exceeding 1010 Cycles

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标题	Ferroelectric HfO2 Memory Transistors With High-κ Interfacial Layer and Write Endurance Exceeding 1010 Cycles
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/55/9467820/09439929.pdf?...
DOI	10.1109/led.2021.3083219 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：A. Tan; Yu-Hung Liao; Li-Chen Wang; N. Shanker; Jong-Ho Bae; et al 出版日期：2021-05-25
求助人	ewfr 在 2026-09-24 14:14:22 发布自广东，悬赏 10 积分
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