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标题
Mapping the impact of defect distributions in silicon carbide devices using the edge transient-current technique
用边缘瞬态电流技术绘制碳化硅器件中缺陷分布的影响
相关领域
材料科学 碳化硅 GSM演进的增强数据速率 校准 空间电荷 辐照 光电子学 瞬态（计算机编程） 硅 蒙特卡罗方法 质子 宽禁带半导体 吸收剂量 分析化学（期刊） 电子 化学 物理 计算机科学 操作系统 核物理学 统计 电信 冶金 量子力学 色谱法 数学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0142217
AI链接 aip.org handle.netdoi.org
DOI
10.1063/5.0142217 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Christian Dorfer; Marianne Etzelmüller Bathen; Salvatore Race; Piyush Kumar; Alexander Tsibizov; et al
出版日期：2023-05-01
求助人
Ada 在 2025-12-06 09:43:08 发布自重庆，悬赏 10 积分
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