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标题
Band engineering and growth of tensile strained Ge/(Si)GeSn heterostructures for tunnel field effect transistors
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网址
https://doi.org/10.1063/1.4805034
DOI
10.1063/1.4805034 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Stephan Wirths; A. T. Tiedemann; Z. Ikonić; P. Harrison; B. Holländer; et al
出版日期：2013-05-13
求助人
lala 在 2026-01-28 14:50:46 发布自天津，悬赏 10 积分
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