| 标题 |
 Dislocations in 4H-SiC epilayers for power devices: Identification, formation, and regulation 功率器件用4H-SiC外延层中的位错：识别、形成和调节
相关领域
材料科学
鉴定（生物学）
功率（物理）
碳化硅
光电子学
工程物理
功率半导体器件
复合材料
热力学
植物
生物
物理
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Yifei Li; Peng‐Xiang Hou; Shuangyuan Pan; Pin Wang; Weiwei Cheng; et al 出版日期：2024-11-26 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
DW
无极微光
老的火龙果
xing_xing
我能私信骂你吗
牧青
能干的怀莲
Nole
aaaa
Enigma_GEB
aajhajkahna
cdercder
秋风
369ninja
青橙
悦耳的怀寒
初景
科研狗
Criminology34
OK
皖公网安备34019202002308
