Design of a 600 V silicon carbide vertical power MOSFET

作者
Dominique Planson,Marie‐Laure Locatelli,Frédéric Lanois,J.P. Chante
出处
期刊:Materials Science And Engineering: B [Elsevier BV]
卷期号:61-62: 497-501 被引量:10
标识
DOI:10.1016/s0921-5107(98)00461-9

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