Tungsten Through-Silicon Via Technology for Three-Dimensional LSIs

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标题	Tungsten Through-Silicon Via Technology for Three-Dimensional LSIs 用于三维LSI的钨硅通孔技术相关领域材料科学沟槽图层（电子）钨蚀刻（微加工）光电子学电介质硅化学气相沉积制作纳米技术冶金医学病理替代医学
网址	https://doi.org/10.1143/jjap.47.2801
DOI	10.1143/jjap.47.2801 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Hirokazu Kikuchi; Yusuke Yamada; Atif Mossad Ali; Jun Liang; Takafumi Fukushima; et al 出版日期：2008-04-01
求助人	2592010503jq 在 2025-05-20 00:05:31 发布自湖北，悬赏 10 积分
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