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 Design and Analysis of P-GaN/N-Ga₂O₃ Based Junction Barrier Schottky Diodes P-GaN/n-Ga-2 O叙利亚基结势垒肖特基二极管的设计与分析
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肖特基势垒
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Arpit Nandi; Kanchan Singh Rana; Ankush Bag 出版日期：2021-10-20 |
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