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 Importance of zero cross-point (Cp = 0) control between the vacancy and interstitial Si atom concentration curves to obtain a perfect Si ingot using Si melt growth 空位和间隙Si原子浓度曲线之间的零交叉点(Cp=0）控制对于使用Si熔体生长获得完美Si锭的重要性
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Kazuo Nakajima; Masami Nakanishi; Martin Su; Chuck Hsu 出版日期：2024-07-28 |
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