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[高分]
  Formation of Three-Dimensional Islands in the Active Region of InGaN Based Light Emitting Diodes Using a Growth Interruption Approach 相关领域
材料科学
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期刊：Science of Advanced Materials 作者：A. F. Tsatsul’nikov; W. V. Lundin; A. V. Sakharov; A. E. Nikolaev; E. E. Zavarin; et al 出版日期：2015-05-16 |
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