The influence of interfacial tensile strain on the charge transport characteristics of MoS2-based vertical heterojunction devices

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标题	The influence of interfacial tensile strain on the charge transport characteristics of MoS2-based vertical heterojunction devices
网址	http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2016/NR/C6NR05937F
DOI	10.1039/c6nr05937f doi
其它	期刊：Nanoscale 作者：Fu Huang; B. Cho; Hee-Suk Chung; S. Son; Jung Han Kim; et al 出版日期：2016-10-14
求助人	走过的风在 2026-07-30 17:40:27 发布自美国，悬赏 10 积分
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