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 On the relationship between imprint and reliability in Hf0.5Zr0.5O2 based ferroelectric random access memory Hf0.5Zr 0.5 O2基铁电随机存储器中压印与可靠性的关系
相关领域
铁电性
可靠性（半导体）
随机存取存储器
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功率（物理）
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期刊：Journal of Semiconductors 作者：Peng Yuan; Yuting Chen; Liguo Chai; Zhengying Jiao; Qingjie Luan; et al 出版日期：2024-04-01 |
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