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标题
Research and Development of a Deep Anisotropic Silicon Plasma Etching Process with Reduced Sidewall Roughness of the Structures
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网址
https://doi.org/10.1134/s1063739724700872
DOI
10.1134/s1063739724700872 doi
其它 期刊：Russian Microelectronics
作者：А. А. Golishnikov; N. A. Dyuzhev; V. V. Paramonov; I. F. Potapenko; M. G. Putrya; et al
出版日期：2024-12-01
求助人
霜幕 在 2026-01-08 20:30:13 发布自湖北，悬赏 10 积分
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