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 Research and Development of a Deep Anisotropic Silicon Plasma Etching Process with Reduced Sidewall Roughness of the Structures 相关领域
材料科学
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期刊：Russian Microelectronics 作者：А. А. Golishnikov; N. A. Dyuzhev; V. V. Paramonov; I. F. Potapenko; M. G. Putrya; et al 出版日期：2024-12-01 |
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