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标题
Etching of Silicon Nitride in CCl2F2, CHF3, SiF4, and SF6 Reactive Plasma: A Comparative Study
CCl2F2、CHF3、SiF4和SF6反应等离子体蚀刻氮化硅的比较研究
相关领域
反应离子刻蚀 氮化硅 蚀刻（微加工） 硅 二氧化硅 微电子 图层（电子） 干法蚀刻 材料科学 选择性 氯 缓冲氧化物腐蚀 氮化物 化学 等离子体刻蚀 无机化学 分析化学（期刊） 化学工程 纳米技术 光电子学 有机化学 复合材料 冶金 催化作用 工程类
网址
https://doi.org/10.1023/a:1021886511288
DOI
10.1023/a:1021886511288 doi
其它 期刊：Plasma Chemistry and Plasma Processing
作者：B. D. Pant; U. S. Tandon
出版日期：1999-12-01
求助人
王鑫 在 2025-12-07 20:54:02 发布自江苏，悬赏 10 积分
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