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 A Gate Degradation Independent Online Junction Temperature Estimation Method for SiC MOSFETs Based on Residual Resistance 基于剩余电阻的SiC MOSFET栅极退化无关结温在线估计方法
相关领域
降级（电信）
材料科学
MOSFET
结温
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期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Zhigang Zhao; Peng Wang; Tianyuan Chen 出版日期：2024-06-18 |
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