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 A Programmable In-Situ Logic-in-Memory with Full Boolean and Arithmetic Functions through Voltage-Gated Spin-Orbit Torque 相关领域
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Zhaochun Liu; Jiaqi Lu; Jiahao Liu; Weixiang Li; Xiaohong Gui; et al 出版日期：2025-01-01 |
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