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![]() 具有双极ReSe2沟道的可重构浮栅器件:双模存储、NMOS-PMOS变换、逻辑功能、突触模拟、正负光导效应
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PMOS逻辑
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期刊:Advanced Functional Materials 作者:Wei Li; Tianhui Mu; Peishuo Li; Shiyan Zhang; Pengcheng Sun; et al 出版日期:2025-05-07 |
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