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标题
Designing High-Performance Nanoscale Spin-MOSFET Devices by Using Two-Dimensional Half-Metallic Cr2Se3
利用二维半金属Cr2Se3设计高性能纳米级自旋MOSFET器件
相关领域
材料科学 纳米尺度 MOSFET 纳米技术 光电子学 工程物理 晶体管 电压 电气工程 工程类
网址
https://doi.org/10.1021/acsami.4c13805
DOI
10.1021/acsami.4c13805 doi
其它 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
作者：Shaoxian Wang; Ya-Qi Kong; Shengyi Zhang; Minglang Wang; Mingzhi Wei; et al
出版日期：2024-10-07
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忧伤的慕梅 在 2025-06-23 20:53:35 发布自云南，悬赏 10 积分
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