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HBr Plasma Treatment Versus VUV Light Treatment to Improve 193 nm Photoresist Pattern Linewidth Roughness
HBr等离子体处理与VUV光处理改善193 nm光刻胶图案线宽粗糙度的对比
相关领域
抵抗 光刻胶 材料科学 表面粗糙度 表面光洁度 激光线宽 等离子体 下降（电信） 图层（电子） 复合材料 光学 激光器 物理 量子力学 电信 计算机科学
网址
https://doi.org/10.1002/ppap.201100107
DOI
10.1002/ppap.201100107 doi
其它 期刊：Plasma Processes and Polymers
作者：E. Pargon; L. Azarnouche; Marc Fouchier; K. Menguelti; Raluca Tiron; et al
出版日期：2011-09-23
求助人
zz 在 2025-05-26 23:22:15 发布自上海，悬赏 10 积分
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