| 标题 |
 Effect of SiO<sub>2</sub> and SiO<sub>2</sub>/SiN<sub><italic>x</italic></sub> Passivation on the Stability of Amorphous Indium-Gallium Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Under High Humidity SiO2和SiO2/SiN
相关领域
钝化
无定形固体
材料科学
分析化学（期刊）
物理
化学
图层（电子）
结晶学
纳米技术
有机化学
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Md Delwar Hossain Chowdhury; Mallory Mativenga; Jae Gwang Um; Ravi Mruthyunjaya; Gregory Heiler; et al 出版日期：2015-02-02 |
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